Ki gwosè mache dyod nan endistri kominikasyon an?

一, Gwosè a nan mache a dyòd nan endistri a kominikasyon: yon kwasans soti nan dè milya de milya dola
1. Mache mondyal: Pa 2025, echèl la pral depase 42 milya dola ameriken, ak pwopòsyon jaden kominikasyon an pral depase 30%
Dapre estatistik autorité, mache mondyal semi-conducteurs dyòd klas la espere rive nan $ 38.7 milya dola pa 2024 epi li prevwa pou depase $ 42 milya dola nan fen 2025. Pami yo, endistri kominikasyon an, kòm dezyèm pi gwo jaden aplikasyon an, kontribye sou 32% nan pati nan mache a, ak yon echèl nan 13.44 milya dola ameriken. Kwasans sa a se sitou akòz:
Konstriksyon estasyon debaz 5G: kantite estasyon debaz 5G mondyal la te monte soti nan 700000 nan 2020 a 4 milyon dola pa 2025, ak chak estasyon debaz ki mande plis pase 10000 dyòd frekans segondè -, ki mennen yon ogmantasyon 300% nan demann;
Mizajou kominikasyon optik: demann pou entèkoneksyon sant done te ankouraje mache a pou modil optik 400G/800G, ki mande pou 4-8 fotodiod gwo vitès pou chak modil. Pa 2025, mache mondyal modil optik la pral rive nan $ 18 milya dola, endirèkteman kondwi demann lan pou dyod;
Eksplozyon Entènèt Satelit: Plan chèn zetwal SpaceX te deplwaye plis pase 6000 satelit, ak plan "GW konstelasyon" ak "G60 zetwal chèn" Lachin nan te lanse plis pase 20000 satelit nan total. Demann pou radyasyon rezistan ak segondè fyab dyod nan kominikasyon satelit òbit latè ki ba te monte.
2. Mache Chinwa: Pa 2025, echèl la pral rive nan 2.257 milya dola ameriken, ak pousantaj sibstitisyon domestik la ap ogmante a 65%
Kòm pi gwo manifakti nan mond lan nan ekipman kominikasyon, mache semiconductor dyod Lachin nan pral rive nan 2.257 milya dola ameriken an 2024, yon ane -sou-ane ogmantasyon de 15.33%, ak sektè kominikasyon an kontablite pou 38%. Faktè kondwi kle yo enkli:
Dividann politik: Twazyèm faz Fon Envestisman Endistri Nasyonal Integrated Circuit la konsantre sou sipòte rechèch ak devlopman twazyèm -jenerasyon materyèl semi-conducteurs, epi li bay yon rediksyon taks 15% valè-ajoute pou dyod ki satisfè nòm klas otomobil yo;
Ogmantasyon nan antrepriz lokal yo: Yangjie Teknoloji, Suzhou Gude ak lòt konpayi yo te entegre chenn endistriyèl yo atravè modèl IDM, reyalize avans nan dyod SiC Schottky, segondè -gaN dyod frekans ak lòt jaden. Nan premye sezon 2025, pwofi nèt Yangjie Teknoloji a atribiye a konpayi paran an te ogmante pa 51.22% ane -sou-ane;
Kwasans ekspòtasyon: Soti janvye jiska avril 2025, ekspòtasyon dyod Lachin nan te rive nan 229 milya inite, yon ane -sou-anne ogmantasyon de 14.21%, ak kominikasyon diodes espesifik kontablite pou 28%.
2, Tandans teknoloji dyod nan endistri kominikasyon: yon kwasans soti nan Silisyòm-ki baze nan twazyèm-semi-conducteurs jenerasyon
1. Segondè frekans: 5G vag milimèt jenere ultra-dyodes pèt ki ba
Ekstansyon gwoup frekans 5G la nan direksyon vag milimèt (24GHz-100GHz) enpoze kondisyon strik sou tan rekiperasyon ranvèse (trr) ak kapasite junction (Cj) nan dyod.
Solisyon tradisyonèl: òdinè rapid rekiperasyon dyod trr ≈ 50ns, ak yon pèt 1.2dB nan gwoup la frekans 28GHz;
Dekouvèt inovasyon: dyòd segondè -frekans ki baze sou GaN diminye trr a 7ns, diminye Cj a 0.1pF, epi li gen yon pèt sèlman 0.3dB nan gwoup frekans 28GHz la. Li te aplike nan ekipman Huawei 5G AAU;
Aplikasyon sou mache: Pa 2025, gwosè mache mondyal 5G segondè -diyod frekans yo pral rive nan 820 milyon dola ameriken, ak yon to kwasans konpoze anyèl 45%.
2. Rezistans tanperati ki wo: demann pou refwadisman done sant kondwi popilarizasyon SiC dyod
Dansite pouvwa a nan yon kabinè sèl nan yon sant done te depase 50kW. Dyòd tradisyonèl ki baze sou Silisyòm- fè eksperyans degradasyon pèfòmans grav nan anviwònman ki pi wo a 125 degre, pandan y ap dyod SiC:
Tanperati travay: jiska 200 degre oswa pi wo, ak yon ekstansyon lavi 5 fwa pou chak ogmantasyon 100 degre nan tanperati junction;
Amelyorasyon efikasite enèji: Nan ekipman pou pouvwa sèvè 48V/12kW, dyòd SiC amelyore efikasite nan 2.3% konpare ak pwodwi ki baze sou Silisyòm-, ekonomize plis pase yon milyon Yuan nan bòdwo elektrisite pou yon sèl sant done chak ane;
Gwosè mache: Pa 2025, gwosè mache mondyal SiC diodes pou sant done pral rive nan 370 milyon dola ameriken, ak Lachin kontablite pou plis pase 40%.
3. Entegrasyon: Entelijan pouvwa Modil (IPM) te vin endikap
Demann pou miniaturizasyon ak segondè fyab nan ekipman kominikasyon kondwi entegrasyon an nan dyod ak MOSFET ak IGBT.
Avantaj teknik: volim modil IPM redwi pa 60%, pousantaj echèk redwi a 80%;
Senaryo aplikasyon: Apre yo fin adopte modil IPM nan estasyon baz 5G ZTE yo, dansite pouvwa a ogmante a 500W / nan ³, ak konsomasyon enèji redwi pa 15%;
Pwevwa mache: Gwosè mache IPM kominikasyon mondyal la pral rive nan 1.28 milya dola ameriken pa 2025, ak yon to kwasans konpoze anyèl 22%.
3, Konpetisyon modèl diodes endistri kominikasyon: sibstitisyon domestik ak zouti teknolojik
1. Gran entènasyonal yo monopolize mache-wo fen a, pandan ke antrepriz lokal yo akselere dekouvèt
Infineon ak Anson: okipe 70% nan pati nan mache mondyal la nan klas otomobil dyod SiC, ak pri inite pwodwi kòm yon wo 18-22 Yuan / moso;
ROHM Semiconductor: Dirijan nan domèn GaN segondè -dyodes frekans, pwodwi li yo gen yon tan rekiperasyon ranvèse sèlman 3ns epi li itilize nan modil onn 5G milimèt Apple iPhone 15;
Pwogrè lokal: Teknoloji Changjing te reyalize pwodiksyon an mas de 6-pous SiC wafers, ak pri 30% pi ba pase gran entènasyonal yo; Suzhou Gude pwodui 250 milyon dyod chak mwa epi ekspòte yo nan 43 peyi. Pwofi nèt ki atribiye a konpayi paran an nan premye trimès 2025 te ogmante pa 395.60% ane-sou ane.
2. Kolaborasyon inovasyon nan chèn endistriyèl kondwi pa politik
Lokalizasyon materyèl: Kapasite pwodiksyon SiC substrate antrepwiz tankou Tianyue Advanced ak Shuoke Crystal depase 500000 moso pa ane, satisfè 30% demann domestik;
Dekouvèt ekipman: machin grave konpayi Zhongwei reyalize presizyon 5nm epi li aplike nan fabrikasyon semi-conducteurs twazyèm -jenerasyon;
Anviwònman estanda: Estanda GB/T4937-2024 ki fèk revize a te ajoute 17 paragraf tès fyab pou dyod otomobil, sa ki fòse konpayi yo amelyore liy pwodiksyon yo.